シラバス(講義概要)データベース

シラバス

授業科目名	年度	学期	開講曜日・時限	学部・研究科など	担当教員	教員カナ氏名	配当年次	単位数
電子デバイス	2024	前期	火4	理工学部	河野　行雄	カワノ　ユキオ	3年次配当	2

履修条件・関連科目等

「電子物性」および「半導体工学基礎」を履修していることが望ましい（必須ではない）．

授業で使用する言語

日本語

授業で使用する言語（その他の言語）

授業の概要

エレクトロニクスは現代社会のあらゆる分野に浸透しているが，その端緒となったのは，20世紀半ばのトランジスタをはじめとする半導体デバイスの出現である．これは，半導体デバイスが性能・コスト両面で極めて優れており，現在も技術的な進展を続けているからにほかならない．本講義では，半導体の基本特性（結晶構造、バンド構造、キャリア伝導など）を踏まえたうえで，pn接合ダイオードとトランジスタを中心に，半導体デバイスの特徴・原理・動作特性について解説する．

科目目的

「電子物性」や「半導体工学基礎」の知識をベースとして，現代エレクトロニクスの土台をなす各種半導体デバイスの動作原理やその応用について理解することを目的とする．

到達目標

半導体のバンド構造や電子およびホールの振る舞いを理解するとともに，主要な半導体デバイスの特徴・原理・動作特性について，定量的な議論も含めて説明ができるようになることを目標とする．

授業計画と内容

第1回　半導体並びにトランジスタ概論
第2回　半導体の結晶構造
第3回　半導体のバンド構造（1）
第4回　半導体のバンド構造（2）
第5回　半導体中の電気伝導
第6回　キャリアの拡散とドリフト
第7回　半導体へのドーピング
第8回　pn接合
第9回　半導体と金属の接触
第10回　ダイオード
第11回　MOSFET
第12回　バイポーラトランジスタ
第13回　その他の半導体デバイス
第14回　電子デバイスに関する到達度確認　

授業時間外の学修の内容

授業終了後の課題提出

授業時間外の学修の内容（その他の内容等）

授業時間外の学修に必要な時間数／週

・毎週１回の授業が半期（前期または後期）または通年で完結するもの。１週間あたり４時間の学修を基本とします。
・毎週２回の授業が半期（前期または後期）で完結するもの。１週間あたり８時間の学修を基本とします。

成績評価の方法・基準

種別	割合（％）	評価基準
期末試験（到達度確認）	80	14回目に実施する理解度確認試験の成績によって評価する。
レポート	20	毎回のレポートに対する成績によって評価する。

成績評価の方法・基準（備考）

レポート課題20％，期末試験80％の配点で評価する．

課題や試験のフィードバック方法

授業時間内で講評・解説の時間を設ける

課題や試験のフィードバック方法（その他の内容等）

アクティブ・ラーニングの実施内容

実施しない

アクティブ・ラーニングの実施内容（その他の内容等）

授業におけるICTの活用方法